А. В. Кудрин, В. П. Лесников, Р. Н. Крюков, А. А. Яковлева, М. В. Дорохин, М. К. Таперо, “Ферромагнетизм в GaAs структурах, дельта-легированных Fe”, Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 9,страницы 1535

Магнетизм, спинтроника

Ферромагнетизм в GaAs структурах, дельта-легированных Fe

А. В. Кудрин^a, В. П. Лесников^a, Р. Н. Крюков^a, А. А. Яковлева^a, М. В. Дорохин^a, М. К. Таперо^bc

^a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
^c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрено формирование методом импульсного лазерного осаждения в вакууме GaAs-структур с дельта-легирующим слоем Fe. Структуры с дельта-легирующим слоем Fe, нанесенным в течение 25 и 35 s, могут быть охарактеризованы как ферромагнитный полупроводник с собственным (intrinsic) ферромагнетизмом и температурой Кюри 70–80 K. В структурах с дельта-легирующим слоем Fe, нанесенным в течение 45 s, наблюдается формирование некой второй ферромагнитной интерметаллической фазы с температурой Кюри 100–120 K. К

Ключевые слова: магнитные полупроводники, полупроводники $A^3B^5$, GaAs, импульсное лазерное осаждение, спинтроника.

Поступила в редакцию: 07.06.2024
Исправленный вариант: 08.07.2024
Принята в печать: 09.07.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.09.58777.152