Квазилокальные состояния зоны проводимости щелочно-галоидных кристаллов, обусловленные ионами индия

На основании исследований возбужденного поглощения в кристаллах КСl$-$In, КВr$-$In, KI$-$In показано, что введение активатора в щелочно-галоидные кристаллы вызывает появление квазилокальных состояний в зоне проводимости этих кристаллов. Рассмотрена возможная природа этих состояний.