Прыжковая проводимость в многослойных наноструктурах {[(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{34}$(SiO$_2$)$_{66}$]/[ZnO]}$_n$

Исследованы структура и электрические свойства многослойных тонких пленок {[(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{34}$(SiO$_2$)$_{66}$]/[ZnO]}$_n$ с разной толщиной прослоек ZnO. Установлено, что прослойки композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{34}$(SiO$_2$)$_{66}$ имеют аморфную структуру, а прослойки ZnO – гексагональную кристаллическую с группой симметрии $P6_3mc$. Температурная зависимость удельного электрического сопротивления многослойных наноструктур {[(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{34}$(SiO$_2$)$_{66}$]/[ZnO]}$_n$ в диапазоне температур 80–280 K подчиняется закону “1/4”, что интерпретируется как прыжковая проводимость моттовского типа по прослойкам ZnO. При этом зависимость удельного электрического сопротивления референтных пленок оксида цинка в указанном диапазоне температур описывается логарифмическим законом $\rho(T)\propto\ln T$, что указывает на наличие интерференционных эффектов, а для нанокомпозитов реализуется механизм “1/2”, что объясняется в рамках моделей механизма проводимости Эфроса–Шкловского и термически активированного туннелирования. Эффективная плотность электронных состояний многослойных наноструктур {[(Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{34}$(SiO$_2$)$_{66}$]/[ZnO]}$_n$ нелинейно растет с увеличением толщины прослойки оксида цинка, что связывается с наличием тонкого слоя доокисленного в процессе напыления ZnO на границах раздела композит-ZnO.