Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки

С использованием метода низкотемпературной фотолюминесцентной спектроскопии исследовано влияние температуры облучения электронами и протонами на образование радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки. Установлено, что температура, при которой проводится облучение, существенно влияет на процесс формирования радиационных дефектов в базовом слое $n$-$4H$-$\mathrm{SiC}$ диодов. Это наблюдение хорошо согласуется с результатами изменения электрических свойств тех же образцов под воздействием протонного и электронного облучения.