RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 12, страницы 2311–2316 (Mi ftt10552)

Сегнетоэлектричество

Флексоэлектрический эффект в GeTe

В. Г. Кузнецовab, А. О. Якубовc, Д. Ю. Тереховc, П. И. Лазаренкоc, В. А. Трепаковb, А. В. Колобовa

a Институт физики, Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Россия

Аннотация: Теллурид германия (GeTe) является химически и структурно простым, но при этом многофункциональным материалом. Это и полупроводник, который под давлением становится сверхпроводником, и высокотемпературный сегнетоэлектрик, и фазопеременный материал, и один из лучших термоэлектриков, и материал с рекордно большим эффектом Рашбы. В данной работе мы демонстрируем посредством первопринципных расчетов и электрических измерений, что у GeTe есть еще одно фундаментальное свойство: тонкие пластины теллурида германия могут проявлять флексоэлектрический эффект. Полученные результаты, в сочетании с эффектом Рашбы, открывают возможность механического управления спиновыми свойствами, создавая предпосылки для реализации принципиально новых устройств спинтроники.

Ключевые слова: теллурид германия, сегнетоэлектрик, первопринципные расчеты, флексоэлектрический эффект, спинтроника.

Поступила в редакцию: 21.11.2024
Исправленный вариант: 24.11.2024
Принята в печать: 28.11.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.12.59612.317



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025