Прыжковый фотогальванический эффект

Теоретически рассмотрен прыжковый механизм фотогальванического эффекта, реализующийся при прыжковом характере переноса заряда. Прыжки электронов между дефектами происходят через виртуальные состояния электрона в зоне проводимости, что приводит к большему радиусу затухания вероятности перескока. Указаны способы экспериментальной идентификации предложенного механизма.