Влияние толщины на удельное электросопротивление тонких покрытий из алмазоподобного углерода на кремнии

Установлена взаимосвязь между соотношением $sp^2/sp^3$-гибридизаций связей атомов в алмазоподобном углероде (DLC – Diamond-Like Carbon) и его удельным электросопротивлением для покрытий толщиной в диапазоне от 22 до 70 nm, полученных вакуумно-дуговым методом, на подложках кремния марки КДБ-8.
Определено, что увеличение толщины покрытия от 22 до 70 nm сопровождается уменьшением удельного поперечного электросопротивления образцов от 17 до 2 G$\Omega$ $\cdot$ m. Этот эффект объясняется увеличением доли атомов углерода с $sp^2$-гибридизацией электронных орбиталей от 86 до 91%, что приводит к появлению дополнительного количества $\pi$-связей.
Методом конечных элементов получено распределение потенциала и плотности тока в образце при измерении поперечных ВАХ. Полученные результаты будут полезны при создании резистивных слоев на электродах газоразрядных детекторов заряженных частиц для ограничения величины тока в случае возникновения редких искровых разрядов в них, вызванных регистрацией случайных сильноионизирующих частиц.