Изменение упругих деформаций в пленках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) $n$- и $p$-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) $n$-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si $p$-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si $p$- и $n$-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si.