Увеличение критического тока сверхпроводящих композитов при имплантации ионов железа

Представлены результаты исследования влияния ионного облучения (ионы Fe$^{2+}$ $E$ = 5.6 МeV) в режимах создания радиационных дефектов и имплантации на критический ток высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) композитов. Проведен анализ как интегрального критического тока, полученного из измерений суммарной намагниченности образцов, так и локального критического тока, определенного из данных сканирующей холловской магнитометрии. Показано, что при одинаковом флюенсе ионов $\Phi$ = 2 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$ повышение критического тока $J_c$ наблюдается в режиме имплантации ионов, в то время как в режиме радиационных дефектов наблюдается небольшое падение $J_c$. Данное обстоятельство указывает на усиление пиннинга за счет дополнительного магнитного взаимодействия вихрей Абрикосова с магнитными ионами, имплантированными в ВТСП слой.