Электропроводность и интерфейсные явления в тонкопленочных гетероструктурах на основе ниобата лития и танталата лития

Исследованы электрофизические свойства структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник – Cu/LiNbO$_3$/Si и Ag/LiTaO$_3$/Si – с толщиной сегнетоэлектрического слоя 200 nm. Нанесение сегнетоэлектрического слоя осуществлялось методом высокочастотного магнетронного распыления. Исследование топографии пленок показало зеренную структуру. Изучена электропроводность структур, определены механизмы, которыми можно описать электрическую проводимость исследуемых образцов. Для структур Cu/LiNbO$_3$/Si это ток, ограниченный пространственным зарядом, прыжковая проводимость и эмиссия Шоттки; для структур Ag/LiTaO$_3$/Si – ток, ограниченный пространственным зарядом, и прыжковая проводимость. Асимметричный вид вольт-амперных характеристик может указывать на наличие потенциального барьера на интерфейсах. Для изучаемых структур определена величина потенциального барьера.