Численная модель для исследования 3$D$-островковых пленок методом электронной Оже-спектроскопии. Система Sm–Si(111)

Предложена модель для расчета интенсивности сигналов в электронной Оже-спектроскопии для тонкопленочных структур, формируемых по механизму Фольмера–Вебера, Странского–Крастанова или близкому к ним. Модель может применяться для обработки экспериментальных результатов и дает возможность получать сведения о плотности и форме трехмерных островков. Проведена ее апробация для реакционно-способной системы Sm–Si(111). Установлено, что в этой системе изменение структуры смачивающего слоя, т. е. переход от реконструкции $\sqrt{3}$ к реконструкции (5 $\times$ 1) сопровождается увеличением аспектного отношения кристаллитов дисилицида самария более чем в семь раз. Предложено физическое объяснение указанной трансформации.