Аннотация:
Методом электронно-лучевого испарения получены тонкие пленки Co на наклонных подложках Si(001). Установлено, что при углах падения испаряемого материала на подложку более 80$^\circ$ (скользящее напыление) на поверхности подложки формируются массивы отдельно стоящих наноколонн Co с сечением $\sim$25 nm и аспектным отношением (длина/поперечный размер) не менее 15. При этом ось легкого намагничивания пленки ориентируется вдоль оси наноколонн, что приводит к появлению компоненты вектора намагничивания, нормальной к поверхности пленки. При включении вращения подложки формируется массив наноспиралей. При быстром вращении подложки (30 rpm) ось легкого намагничивания приближается к нормали к поверхности пленки. При низкой скорости вращения подложки (0.6 rpm) формируется массив наноспиралей, придающий пленке выраженные хиральные свойства.
Ключевые слова:
наноструктурирование, тонкие пленки, напыление под углом, хиральные структуры.
Поступила в редакцию: 17.04.2023 Исправленный вариант: 17.04.2023 Принята в печать: 11.05.2023