Диэлектрические характеристики гетероэпитаксиальных тонких пленок Sr$_{0.60}$Ba$_{0.40}$Nb$_2$O$_6$, выращенных на подложке Pt(001)/MgO(001)

Проведены исследования структуры, микроструктуры поверхности, диэлектрических и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция Sr$_{0.60}$Ba$_{0.40}$Nb$_2$O$_6$ (SBN60), выращенных на подложке Pt(001)/MgO(001). Показано, что пленки являются беспримесными, монокристаллическими, а по характеру изменения диэлектрических проницаемостей ($\varepsilon'$ и $\varepsilon''$) от температуры и частоты измерительного электрического поля – сегнетоэлектриками-релаксорами. Установлено, что в исследуемой пленке температура Бернса равняется 475 K, температура Фогеля–Фулчера – 367 K, а в окрестности $T$ = 150 K происходит фазовый переход между двумя сегнетоэлектрическими фазами. Показано, что при комнатной температуре в зависимости от напряженности электрического поля превалирующими механизмами транспорта заряда в пленках SBN60 являются эмиссия Пула–Френкеля и ток, ограниченный пространственным зарядом. Обсуждаются причины выявленных закономерностей.