Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке

Приводятся результаты сравнительного исследования электронных свойств GaN с различным типом кристаллической структуры. Обнаружена ориентационная зависимость вхождения непреднамеренно введенной донорной примеси кислорода, которая определяет значение концентрации свободных электронов в выращенном материале.