Анализ структурного состава пленки карбида кремния, полученной методом высокотемпературного химического осаждения из газовой фазы

Исследуется поверхность структур карбида кремния, изготовленная высокотемпературным химическим осаждением из газовой фазы (HTCVD). Показано, что на поверхностях пластин с ориентацией 111 и 100 растет однородная поликристаллическая пленка карбида кремния толщиной порядка 3–6 mkm. Приведены результаты рентгенофазового анализа и спектров комбинационного рассеяния образцов с карбидом кремния. Показано, что технология изготовления пленки карбида кремния может привести к возникновению чистого углерода на поверхности.