Расчеты из первых принципов и экспериментальное исследование методом спектральной эллипсометрии электронных свойств монокристаллов CdGa$_2$S$_4$

Электронные свойства монокристаллов CdGa$_2$S$_4$ исследованы экспериментально с использованием спектральной эллипсометрии, а также теоретически из первых принципов с использованием теории функционала плотности (DFT). С помощью эллипсометрических исследований в интервале энергий 0.7–6.5 eV определены мнимые и действительные части диэлектрической функции вдоль и перпендикулярно оптической оси, дисперсия коэффициентов преломления, экстинкции и поглощения. Оценена ширина прямой запрещенной зоны. Зонная структура, происхождение энергетических состояний, оптические функции и проецированные на атомы парциальные плотности состояний (PDoS) определены расчетами из первых принципов. Теоретически рассчитанные результаты сравнены с экспериментальными данными настоящей работы, полученными методом спектральной эллипсометрии.