Эта публикация цитируется в
1 статье
Полупроводники
Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе
С. Н. Мустафаеваa,
М. М. Асадовbc,
С. С. Гусейноваa,
А. И. Джабаровa,
В. Ф. Лукичевd a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Научно-исследовательский институт геотехнологических проблем нефти, газа и химии АГУНП, Баку, Азербайджан
d Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Аннотация:
Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и электронные свойства 32 атомной суперъячейки полупроводникового соединения TlGaS
$_2$, содержащей неодим. На выращенных новых монокристаллах TlGaS
$_2$ : Nd
$^{3+}$ (0.3 mol.% Nd
$_2$S
$_3$) получены экспериментальные результаты по физическим свойствам. Изучены температурные (93–538 K) и частотные (5
$\cdot$ 10
$^4$–3.5
$\cdot$ 10
$^7$ Hz) зависимости проводимости на постоянном и переменном токе и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS
$_2$ : Nd
$^{3+}$. Установлено, что в TlGaS
$_2$ : Nd
$^{3+}$ во всей изученной области частот имеют место потери на электропроводность, а перенос заряда носит прыжковый характер. Оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе в TlGaS
$_2$ : Nd
$^{3+}$.
Ключевые слова:
DFT-расчет, суперъячейка TlGaS
$_2$, легирование неодимом, энергетическая структура, плотность состояний, диэлектрические свойства, перенос заряда, монокристалл TlGaS
$_2$ : Nd
$^{3+}$, постоянный и переменный ток.
Поступила в редакцию: 03.12.2021
Исправленный вариант: 03.12.2021
Принята в печать: 08.12.2021
DOI:
10.21883/FTT.2022.04.52182.251