RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2022, том 64, выпуск 4, страницы 428–436 (Mi ftt10993)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ на постоянном и переменном токе

С. Н. Мустафаеваa, М. М. Асадовbc, С. С. Гусейноваa, А. И. Джабаровa, В. Ф. Лукичевd

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Научно-исследовательский институт геотехнологических проблем нефти, газа и химии АГУНП, Баку, Азербайджан
d Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия

Аннотация: Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и электронные свойства 32 атомной суперъячейки полупроводникового соединения TlGaS$_2$, содержащей неодим. На выращенных новых монокристаллах TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ (0.3 mol.% Nd$_2$S$_3$) получены экспериментальные результаты по физическим свойствам. Изучены температурные (93–538 K) и частотные (5 $\cdot$ 10$^4$–3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz) зависимости проводимости на постоянном и переменном токе и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$. Установлено, что в TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$ во всей изученной области частот имеют место потери на электропроводность, а перенос заряда носит прыжковый характер. Оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе в TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$.

Ключевые слова: DFT-расчет, суперъячейка TlGaS$_2$, легирование неодимом, энергетическая структура, плотность состояний, диэлектрические свойства, перенос заряда, монокристалл TlGaS$_2$ : Nd$^{3+}$, постоянный и переменный ток.

Поступила в редакцию: 03.12.2021
Исправленный вариант: 03.12.2021
Принята в печать: 08.12.2021

DOI: 10.21883/FTT.2022.04.52182.251



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025