Теория когерентной рекомбинации

Рассмотрено влияние на интенсивность рекомбинационных процессов в полупроводниках эффектов когерентности, обусловленных кулоновским взаимодействием электронов и дырок. Скорость рекомбинации неравновесных носителей заряда вычислена для двух случаев: когда при накачке когерентное состояние электронов и дырок возникает для состояний зоны проводимости и валентной зоны, для зоны и примесного уровня. Вычисления проведены в рамках обобщенного приближения самосогласованного поля. Указано на обоснованность использования этого приближения для описания неравновесного когерентного состояния зонных и примесных электронов и дырок. Обсуждается влияние процессов рекомбинации на род неравновесного фазового перехода.