Точечные дефекты висмута в кристаллах TlInTe$_2$, электрофизические и диэлектрические свойства твердых растворов

Комплексными методами физико-химического анализа была исследована фазовая диаграмма TlInTe$_2$–Bi в концентрационной области 0–10 аt.% Bi, установлена растворимость висмута в TlInTe$_2$ в количестве 5.0 аt.% при комнатной температуре. Проведены исследования электрофизических и диэлектрических свойств твердых растворов (TlInTe$_2$)$_{1-x}$Bi$_x$.
На примере состава (TlInTe$_2$)$_{1-x}$Bi$_x$, где $x$ = 0.05 показано, что примеси висмута повышают значение проводимости в направлении (001), приводят к изменению типа проводимости кристалла TlInTe$_2$ с дырочной на электронную, сильно повышают значение электрической анизотропии кристалла TlInTe$_2$ $\rho\perp/\rho\parallel$ более, чем в 10$^3$ раз.
Наблюдается также влияние примесей висмута на диэлектрические свойства кристаллов TlInTe$_2$. Примеси висмута образуют барьеры на пути движения ионов таллия и повышают температуру фазового перехода в ионно-проводящую фазу (Тi): в кристаллографическом направлении [001] – на 69 K, а в направлении [110] – на 87 K.