Создание оптически адресуемых спиновых центров в гексагональном нитриде бора путем облучения протонами

Исследована возможность создания дефектов, обладающих спин-зависимой флуоресценцией в ван-дер-Ваальсовом материале – гексагональном нитриде бора (hBN), посредством облучения последнего протонами высоких энергий ($E_P$ = 15 MeV). Методами микрофотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показано, что такое облучение приводит к созданию вакансий бора в отрицательном зарядовом состоянии ($V^-_{\mathrm{B}}$-центров), основное спиновое триплетное ($S$ = 1) состояние которых демонстрирует оптически индуцированную инверсную заселенность.