Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием

Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), расположенного вокруг СИС-перехода. В ходе исследования были проведены численные расчеты параметров таких шунтированных переходов и выполнено моделирование их вольтамперных характеристик (ВАХ). Спроектированные образцы были изготовлены, проведены исследования их параметров; измерены ВАХи переходов с различной степенью шунтирования, исследовано поведение переходов под воздействием высокочастотных сигналов в суб-ТHz-диапазоне.