Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия

Описаны особенности проводимости в изготовленных различными методами пленках алюминия в зависимости от наличия примесей, толщины пленки, условий нанесения. Приведены результаты измерения методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии свойств поверхности и кристаллической структуры изготовленных пленок алюминия, оксида и нитрида алюминия. Изготовлены СИС-, СИН-, НИН-переходы на основе алюминия с использованием как теневого напыления, так и магнетронного распыления. Измерены вольтамперные характеристики. Обсуждаются перспективы улучшения характеристик алюминиевых СИС-переходов, СКВИД-усилителей и СИНИС-детекторов, работающих при температурах порядка 100 mK.