Д. А. Киселев, С. С. Старухина, Т. С. Ильина, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi$_{3.25}$La$_{0.75}$Ti$_{3-x}$A$_x$O$_{12}$ ($A$ – Мn, Zr, Nb)”, Физика твердого тела, 2022, том 64, выпуск 10,страницы 1483

Сегнетоэлектричество

Влияние легирующей примеси на пьезоэлектрические и диэлектрические свойства тонких пленок Bi$_{3.25}$La$_{0.75}$Ti$_{3-x}$A$_x$O$_{12}$ ($A$ – Мn, Zr, Nb)

Д. А. Киселев^ab, С. С. Старухина^b, Т. С. Ильина^b, Н. Ф. Кухарская^a, В. Г. Нарышкина^a, А. А. Сивов^a, Г. В. Чучева^a

^a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия

Аннотация: Показано, что в пленках на основе лантанзамещенного титаната висмута (BLT) в зависимости от материала легирующей примеси происходят изменения микроструктуры, диэлектрических и пьезоэлектрических свойств, что приводит к изменениям коэрцитивного напряжения, внутреннего поля смещения и коэффициента управления.

Ключевые слова: lead-free сегнетоэлектрические пленки, титанат висмута, электрофизические свойства, вольт-фарадные характеристики, силовая микроскопия пьезоэлектрического отклика.

Поступила в редакцию: 12.05.2022
Исправленный вариант: 12.05.2022
Принята в печать: 14.05.2022

DOI: 10.21883/FTT.2022.10.53094.376