Гомогенное и гетерогенное распределение радиационных дефектов в кристаллах KCl

Электронно-микроскопическим и оптическими методами исследованы радиационные дефекты, создаваемые рентгеновскими лучами или излучением XeCl-лазера в кристаллах КСl высокой чистоты и совершенства и КСl$-$Sr. Облучение при 200 K приводит к гомогенному распределению анионных и катионных дефектов. Последние рождаются при парной ассоциации $H$-интерстициалов около точечных дефектов. Облучение при 300 K создает в КСl (но не в КСl$-$Sr) интерстициальные дислокационные петли. При распаде автолокализующихся экситонов в регулярных участках кристалла возникают подвижные $H$-интерстициалы, при парной ассоциации которых около дислокаций или поверхностей рождаются формирующие дислокационные петли, междоузельные анионы и катионы и Сl$^{-}_{3}$-молекулы в анионных и катионных узлах.