Прыжковый перенос заряда в аморфном нитриде кремния в сильных электрических и магнитных полях

Исследована проводимость МНОП структур (металл–окисел–нитрид–полупроводник) в широком интервале температур (2$-$450 K), в электрических полях $E$ до ${8\cdot 10^{6}}$ В/см и в магнитных полях $H$ до 7 Тл. Обнаружено экспоненциально зависящее от магнитного поля положительное магнетосопротивление (ПМС) при ${T<30}$ K. В области ${23<T<250}$ K наблюдается слабое отрицательное магнетосопротивление (ОМС). Наличие ПМС и его слабая чувствительность к взаимной ориентации H и тока J через структуру указывают на прыжковый характер проводимости Si$_{3}$N$_{4}$ при ${T<30}$ K. Исследовано влияние деградации МНОП структуры, вызываемой протеканием заряда при ${T=4.2}$ K. Обнаружено качественное изменение полевых и температурных зависимостей проводимости структуры в процессе деградации.