Теоретическое исследование структуры и колебательных спектров сверхрешеток Si/SiO$_2$

Методом компьютерного моделирования с применением неэмпирических квантово-механических расчетов изучена структура, фононные состояния и колебательные спектры бинарных сверхрешеток Si/SiO$_2$, слои которых состоят из кристаллического кремния и $\beta$-кристобалита. Найдены устойчивые структуры сверхрешеток со сверхтонкими интерфейсами, состоящими всего из одного слоя атомов Si$^{2+}$. Рассчитаны их ИК и КР-спектры, в которых выделены характеристические линии, по которым можно установить наличие интерфейсов данного типа.