Специфика низкотемпературного создания дефектов Френкеля в щелочных иодидах (KI)

На примере KI исследована специфика низкотемпературного радиационного дефектообразования в кристаллах с высокоподвижными экситонами. Показано, что облучение KI рентгеновской радиацией при 4.2 K приводит к негомогенному пространственному распределению дефектов, обусловленному стоком экситонов в «ослабленные участки» кристалла (дислокации, поверхности), где облегчена их автолокализация и распад с рождением дефектов Френкеля (F, Н- и $\alpha$, I-пар). Этот вывод сделан путем сравнения характеристик простейших дефектов, созданных $X$-облучением при 4.2 K с таковыми же, но возникшими как результат фотодиссоциации при 4.2 K I$^{-}_{3}$-центров, созданных $X$-облучением при 105 K. Показано, что в последнем случае в KI удается реализовать режим изолированных пар дефектов Френкеля. Это проявляется, в частности, в том, что отжиг анионных вакансий, наблюдающийся в KI при 22$-$32 K и обусловленный миграцией I-центров, идет безызлучательно, т. е. отсутствует термостимулированная люминесценция (вплоть до 50 K). Обнаружено также, что безызлучательно осуществляется и туннельная перезарядка возбужденных $F$-центров с $H$-центрами.