Радиационно-стимулированный фазовый переход в суперионное состояние кристалла TlSe

Исследованы температурно-частотные зависимости: электрической проводимости $(\sigma(\mu,T))$, действительной и мнимой части комплексной диэлектрической проницаемости $(\varepsilon'(\nu,T))$ и $(\varepsilon''(\nu,T))$, комплексный импеданс соединения TlSe при воздействии различных доз гамма радиации. Исследован процесс возникновения концентрационной поляризации на границе ионный проводник блокирующий контакт. Установлен температурно-частотно-дозовый интервал возникновения ионной проводимости, импеданса Варбурга и обнаружен, радиационно стимулированный фазовый переход в суперионное состояние кристалла TlSe.