Экспериментальное исследование и ЭВМ моделирование высокотемпературных изображений дислокаций на рентгеновских секционных топограммах в Si

Методом секционной рентгеновской топографии исследованы изображения винтовых дислокаций, наклоненных к плоскости рассеяния рентгеновских лучей, и $60^{\circ}$-х дислокаций, параллельных вектору отражения в кристаллах кремния при температурах $20{-}420^{\circ}$С. Из сопоставления экспериментальных и расчетных изображений установлено, что наблюдающиеся изменения изображений связаны с температурной зависимостью поляризуемости и соответствующим ростом экстинкционной длины.