Спектроскопия кристаллов TiGaS$_{2}$

Исследована структура узких линий низкотемпературной люминесценции в TlGaS$_{2}$, обнаружено их многокомпонентное магнитное расщепление, установлена его зависимость от ориентации поля в кристалле. На основе данных о магнитных свойствах, температурной зависимости и селективном возбуждении люминесценции идентифицированы бесфононные линии спектра излучения и их фононные повторения. Обнаружен богатый спектр ЭПР с четко выраженной сверхтонкой структурой и сильной анизотропией $g$-факторов резкой температурной зависимостью интенсивности линий ЭПР. Совокупность полученных данных позволяет отнести спектр люминесценции и ряд линий ЭПР к структурным дефектам решетки TlGaS$_{2}$, основной электронный уровень которых обладает сильным магнитным расщеплением.