Спин-поляризованная фотоэмиссия из GaAsP

Методом фотоэмиссии с анализом поляризации электронов исследовано влияние спин-орбитального взаимодействия на особенности зонной структуры поликристаллических и монокристаллических слоев твердых растворов GaAs$-$GaP со сниженной работой выхода. Измерена величина спин-орбитального расщепления в $L$-точке зоны Бриллюэна, которая составляет 0.22 эВ. Показано, что использование поликристаллического фотоэмиттера GaAsP в источнике поляризованных электронов обеспечивает высокую временную стабильность его параметров.