Электронный ангармонизм в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

Из измерений зависимостей скорости звука от давления определен вклад дырок в упругие модули третьего порядка в образцах $p$-Si с различной концентрацией дырок. На основе сферической модели зон теоретически рассчитан электронный ангармонизм и результаты расчета сравниваются с экспериментальными. Продемонстрирована сильная чувствительность эффекта к особенностям строения валентной зоны.