Особенности акустоэлектронного взаимодействия в кристаллах в поле мощной электромагнитной волны

Теоретически рассмотрены особенности акустоэлектронного взаимодействия в поле мощной электромагнитной волны, вызывающей генерацию электронно-дырочных пар в области края фундаментального поглощения в кристаллах. Показано, что влияние звуковой волны на эффект генерации приводит к дополнительному поглощению акустической волны, которое может быть заметным при ${\Omega\tau_{\text{ж}}\sim1}$ ($\Omega$ — частота звука, $\tau_{\text{ж}}$ — время жизни носителей заряда). Совместное влияние звуковой и электромагнитной волн на процесс генерации носителей приводит к появлению фотоакустоконцентрационного эффекта — среднего изменения концентрации носителей в зонах. В условиях, когда электромагнитная волна сильно меняет концентрацию носителей в зонах, возможен эффект заметного влияния поля электромагнитной волны и на резонансную фотоупругость.