Г. И. Овчинникова, И. Ю. Полякова, Е. С. Иванова, Р. В. Гайнутдинов, Н. В. Белугина, А. Л. Толстихина, В. В. Гребенев, “Влияние проводимости на диэлектрические характеристики кристалла триглицинсульфата в широком диапазоне частот”, Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 3,страницы 531

Эта публикация цитируется в 6 статьях

ХХ Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XX)

Влияние проводимости на диэлектрические характеристики кристалла триглицинсульфата в широком диапазоне частот

Г. И. Овчинникова^a, И. Ю. Полякова^a, Е. С. Иванова^b, Р. В. Гайнутдинов^b, Н. В. Белугина^b, А. Л. Толстихина^b, В. В. Гребенев^b

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Москва, Россия
^b Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Измеренные в диапазоне частот от 10 до 10$^{11}$ Hz диэлектрические спектры сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата проанализированы на основе представлений о заметном вкладе проводящей компоненты в диэлектрический отклик сегнетоэлектриков. С помощью контактной сканирующей резистивной микроскопии в режиме отображения растекания получено изображение линзовидного сегнетоэлектрического домена в кристалле триглицинсульфата и измерены фоновые токи и токи на доменной границе (токи фона 10$^{-14}$ A, токи на доменной границе 10$^{-12}$ A). Показано, что учет вклада проводимости в диэлектрические спектры дает хорошее согласие с экспериментом и позволяет получить дополнительную информацию о температурной динамике доменной структуры.