О теории встречных доменов в сегнетоэлектрических полупроводниках

Рассматривается влияние взаимодействия носителей тока с поляризацией, связанное с деформационным потенциалом, создаваемым поляризационными модами, на образование встречных доменов в сегнетоэлектриках-полупроводниках. Показано, что вследствие понижения энергии носителей в области доменной стенки, обусловленного этим взаимодействием, образование встречных доменов может быть энергетически выгодным.