Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки

Показано, что в гетеросистеме GeSi/Si(001) при несоответствии параметров решеток $\sim$ 2% и более малая критическая толщина введения дислокаций приводит к реализации механизма наведенного зарождения дислокаций несоответствия. Этот механизм заключается в том, что поле напряжений ранее возникшей 60$^\circ$ дислокации провоцирует введение вторичной 60$^\circ$ дислокации с винтовой компонентой противоположного знака. В результате взаимодействия таких дислокационных пар образуются краевые дислокации несоответствия, которые и определяют процесс пластической релаксации. Этот механизм наиболее эффективно проявляется, когда введение дислокаций происходит при толщине пленок GeSi, только незначительно превышающей критическую толщину введения 60$^\circ$ дислокаций, и присутствуют пронизывающие дислокации. Изменяя параметр несоответствия в гетеропаре, можно управлять доминирующим типом дислокаций несоответствия (60$^\circ$ или краевые) в системе Ge на Si (001).