Исследование резистивного переключения вертикально ориентированной углеродной нанотрубки методами сканирующей зондовой микроскопии

Представлены результаты экспериментальных исследований методами сканирующей зондовой микроскопии влияния внешнего электрического поля на электромеханические свойства и закономерности резистивного переключения вертикально ориентированной углеродной нанотрубки (ВОУНТ). Показано, что отношение сопротивлений ВОУНТ в высокоомном и низкоомном состояниях превышает 25 при расстоянии между зондом сканирующего туннельного микроскопа и ВОУНТ 1 nm и напряжении 8 V, и зависит от величины напряжения, прикладываемого между зондом и ВОУНТ. Предложен механизм резистивного переключения ВОУНТ, основанный на мгновенной деформации и возникновении внутреннего электрического поля ВОУНТ в результате резкого изменения производной напряженности внешнего электрического поля по времени. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании элементов резистивной энергоэффективной памяти с высокой плотностью ячеек на основе вертикально ориентированных углеродных нанотрубок.