Аннотация:
С использованием рентгеновской дифракции и дифференциальной сканирующей калориметрии исследованы изменения параметров решетки и температуры Нееля в соединениях GdMn$_2$(Ge$_{1-x}$Si$_x$)$_2$ ($x$ = 0–1) с ростом концентрации Si. Показано, что замещение Ge на Si приводит к уменьшению объема элементарной ячейки соединений при комнатной температуре на 8%. Установлено, что температура Нееля соединений увеличивается с ростом концентрации Si от 365 K при $x$ = 0 до 465 K при $x$ = 1. По полученным данным построена магнитная фазовая диаграмма системы GdMn$_2$(Ge$_{1-x}$Si$_x$)$_2$.