RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2015, том 57, выпуск 5, страницы 877–885 (Mi ftt11458)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре

В. А. Солтамовa, Д. О. Толмачевa, И. В. Ильинa, Г. В. Астаховb, В. В. Дьяконовb, А. А. Солтамоваa, П. Г. Барановa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Experimental Physics VI, Julius-Maximilians University of Würzburg, Würzburg, Germany

Аннотация: Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного и оптически детектируемого магнитного резонансов $X$-диапазона были исследованы спиновые и оптические свойства вакансионных кремниевых дефектов в карбиде кремния гексагонального политипа $6H$. Было показано, что на различных конфигурациях этих дефектов возможно создавать оптическое выстраивание их спиновых подуровней как при низких температурах, так и при температурах порядка комнатных ($T$ = 293 K). Основной особенностью вакансионных кремниевых центров в карбиде кремния является то, что параметр расщепления в нулевом магнитном поле некоторых центров остается постоянным при изменении температуры, что свидетельствует о перспективности использования этих центров в целях квантовой магнитометрии. Также было показано, что ряд центров, наоборот, характеризуется сильной зависимостью параметра расщепления в нулевом магнитном поле от температуры, что свидетельствует о перспективности использования таких центров в качестве температурных сенсоров.

Поступила в редакцию: 05.11.2014


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2015, 57:5, 891–899

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025