Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре
Аннотация:
Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного и оптически детектируемого магнитного резонансов $X$-диапазона были исследованы спиновые и оптические свойства вакансионных кремниевых дефектов в карбиде кремния гексагонального политипа $6H$. Было показано, что на различных конфигурациях этих дефектов возможно создавать оптическое выстраивание их спиновых подуровней как при низких температурах, так и при температурах порядка комнатных ($T$ = 293 K). Основной особенностью вакансионных кремниевых центров в карбиде кремния является то, что параметр расщепления в нулевом магнитном поле некоторых центров остается постоянным при изменении температуры, что свидетельствует о перспективности использования этих центров в целях квантовой магнитометрии. Также было показано, что ряд центров, наоборот, характеризуется сильной зависимостью параметра расщепления в нулевом магнитном поле от температуры, что свидетельствует о перспективности использования таких центров в качестве температурных сенсоров.