Аннотация:
Приведенные экспериментальные результаты по изучению частотной зависимости диэлектрических коэффициентов и проводимости выращенных монокристаллов CuInS$_2$ позволили установить релаксационный характер дисперсии, природу диэлектрических потерь, прыжковый механизм переноса заряда, оценить параметры локализованных состояний, такие как плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе.