Импедансные спектры кристаллов легированного силиката висмута Bi$_{12}$SiO$_{20}$:Ge

Исследованы особенности поведения импедансных спектров монокристаллов структуры силленита Bi$_{12}$SiO$_{20}$, легированных германием. Установлена дисперсия полученных зависимостей, отвечающая распределению времен релаксации. Анализ экспериментальных данных, проведенный с использованием графоаналитического метода, позволил разделить вклады в проводимость, обусловленные объемом кристалла и границей образец-электрод. Отражена роль примесного фактора и электронов неподеленной пары ионов трехвалентного висмута в формировании дефектной структуры кристалла.