Исследование топологического изолятора Bi$_2$Te$_3$ методом ЯМР

Приводятся результаты ЯМР-исследований выращенного полупроводникового монокристалла Bi$_2$Te$_3$ высокого качества. Сигналы от изотопа $^{125}$Te регистрировались методом спинового эха в интервале от 10 K до комнатной температуры. Обнаружено, что спектр ЯМР состоит из двух линий. Линия, имеющая положительный сдвиг резонансной частоты, соответствует объему образца. Линия, имеющая отрицательный сдвиг, интерпретируется как сигнал от поверхности монокристалла. Исследованы температурная и ориентационная зависимости положения линии ЯМР от ядер в объеме образца. Показано, что сдвиг линии преимущественно определяется сдвигом Найта, обусловленным взаимодействием с подвижными носителями заряда. Доказан термоактивационный характер концентрации подвижных зарядов в исследованном кристалле, соответствующий собственной проводимости, и рассчитаны энергетические параметры термоактивационных процессов.