Аннотация:
Нанокристаллы фторида лития облучены гамма-квантами при температуре, меньшей температуры подвижности анионных вакансий. Определена кинетика процессов агрегации радиационных дефектов в приповерхностных слоях нанокристаллов во время отжига после облучения. Установлены процессы, которые могут быть использованы для нахождения энергии активации диффузии анионных вакансий. Найдена величина этой энергии в приповерхностных слоях. Для приповерхностных слоев получено соотношение концентраций вакансий и дефектов, состоящих из одной вакансии и двух электронов. Обсуждены причины различий в значениях энергий активации и соотношений концентраций в приповерхностных слоях и объеме кристаллов.