Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости кристаллов Tl$_6$SI$_4$

Экспериментальные результаты изучения частотных зависимостей диэлектрических характеристик и проводимости полученных кристаллов Tl$_6$SI$_4$ позволили установить природу диэлектрических потерь и прыжковый механизм переноса заряда, оценить параметры локализованных состояний в запрещенной зоне, такие как плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, среднее время и длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе.