Структура и электронный транспорт эпитаксиальных пленок иридата стронция

Исследованы кристаллографические и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок SrIrO$_3$, в которых наблюдается деформация кристаллической решетки из-за различия в параметрах решетки иридата стронция и подложки. Использовались подложки (001) SrTiO$_3$, (001) LaAlO$_3$ + Sr$_2$AlTaO$_6$ (LSAT), (110) NdGaO$_3$ и (001) LaAlO$_3$. В результате деформации кристаллической решетки величины удельного сопротивления пленок, напыленных на подложки с разными параметрами решетки, различались в несколько раз. Пленки SrIrO$_3$ толщиной $d$ = 90 nm, выращенные на подложках SrTiO$_3$ и LSAT, имели немонотонную зависимость проводимости от температуры: тип температурной зависимости проводимости менялся с металлического на диэлектрический при $T_L$ = 200–250 K. При уменьшении толщин до величин менее 20 nm сопротивления пленок на всех типах подложек уменьшались с ростом температуры экспоненциально.