Аннотация:
Исследование направлено на изучение влияния пленки серебра на характеристики бикристаллического перехода в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) детекторах на основе YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ (YBCO). В работе проанализированы пять чипов, изготовленных в разных технологических циклах. На каждом чипе расположены три типа структур джозефсоновских детекторов с лог-периодическими антеннами разной конфигурации. Основное внимание уделено сравнению критического тока, нормального сопротивления и характерного напряжения при температурах 4 и 77 K. Результаты показали, что структуры с одинаковыми геометрическими размерами джозефсоновского перехода демонстрируют значительные различия в параметрах. Установлено, что основной причиной отклонений параметров является близость слоя серебра к бикристаллической границе, что приводит к загрязнению барьера и изменению свойств перехода.