Влияние толщины и легирования вольфрамом антиферромагнитных слоев Cr–Mn на микроструктуру и гистерезисные свойства пленок типа Cr–Mn/FM (FM = Fe, Fe$_{20}$Ni$_{80}$, Fe$_{10}$Co$_{90}$, Fe$_{60}$Co$_{20}$B$_{20}$)

Определены закономерности изменения коэрцитивной силы и поля обменного смещения ряда железосодержащих ферромагнитных слоев FM = Fe, Fe$_{20}$Ni$_{80}$, Fe$_{10}$Co$_{90}$, Fe$_{60}$Co$_{20}$B$_{20}$ в составе пленок типа Cr$_{70}$Mn$_{30}$/FM при варьировании толщины антиферромагнитного слоя Cr$_{70}$Mn$_{30}$ и легировании его W. Дана интерпретация полученных результатов, исходящая из низкой стабильности магнитного состояния кристаллитов, составляющих антиферромагнитный слой. Показано, что она может быть повышена за счет роста объема кристаллитов при увеличении толщины антиферромагнитного слоя. При этом конечный результат во многом зависит от специфики межслойного обменного взаимодействия между антиферромагнитным слоем и ферромагнитными слоями различного состава. Найдено также, что введение W ослабляет магнитную анизотропию антиферромагнитного слоя Cr–Mn, но положительно сказывается на воспроизводимости гистерезисных свойств пленочных композитов.