Структура и электронный транспорт в тонких пленках иридата стронция под влиянием эпитаксиальных напряжений, вызванных рассогласованием с подложкой

Эпитаксиальные тонкие пленки иридата стронция (SrIrO$_3$) получены методом высокочастотного магнетронного распыления на следующих монокристаллических подложках: (110)NdGaO$_3$, (001)SrTiO$_3$, (001)(LaAlO$_3$)$_{0.3}$(Sr$_2$TaAlO$_6$)$_{0.7}$ (LSAT) и (110)Pb(Mg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$)O$_3$-PbTiO$_3$ (PMN-PT). С помощью рентгеновской дифракции изучены структурные особенности и влияние релаксации напряжений в тонких пленках, вызванных различием параметров элементарных ячеек решетки пленки и подложки. На основе анализа дифракционных данных установлено, что в пленках наблюдается изменение объема элементарной ячейки пленки по сравнению с объемом SrIrO$_3$ кристалла.
Электронные транспортные параметры тонких SrIrO$_3$ пленок показывают существенную зависимость от типа используемой подложки и параметров напыления. Анализ температурной зависимости сопротивления выявил влияние рассеяния магнитных примесей, вызванных кислородными вакансиями, на электронный транспорт пленок. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии определена величина спин-орбитального расщепления для Ir 4$f$ состояний, которая варьируется от 2.99 eV для SrIrO$_3$ пленки, напыленной на (001)SrTiO$_3$, до 3.10 eV для пленки на (110)PMN-PT, что связано с концентрацией кислородных вакансий, совершенством структуры и стехиометрией.