Магнитные свойства субмикронных слоев $\alpha$-Fe$_2$O$_3$, выращенных на сапфире методом mist-CVD

Исследованы магнитные свойства субмикронных слоев оксида железа-III, выращенных методом mist-CVD эпитаксии на сапфировой подложке базисной ориентации (0001) с буферным слоем 2H-GaN и без него. Показано, что оба слоя по составу близки к $\alpha$-Fe$_2$O$_3$ (гематит). Наличие буферного слоя GaN приводит к увеличению намагниченности насыщения и остаточной намагниченности насыщения. Данные магнитометрии и магнитно-силовой микроскопии позволили выполнить теоретические оценки, свидетельствующие о наличии вихревых магнитных структур в исследованных слоях.