Ю. В. Кислинский, И. Е. Москаль, В. А. Байдикова, К. И. Константинян, Н. В. Дубицкий, А. М. Петржик, Г. Д. Ульев, А. В. Шадрин, В. А. Шмаков, Г. А. Овсянников, “Транспорт носителей тока в тонких пленках иридата стронция и в сверхпроводящих гетероструктурах”, Физика твердого тела, 2025, том 67, выпуск 7,страницы 1367

XXIX Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Н. Новгород, 10--14 марта 2025 г.
Физика поверхности, тонкие пленки

Транспорт носителей тока в тонких пленках иридата стронция и в сверхпроводящих гетероструктурах

Ю. В. Кислинский^a, И. Е. Москаль^a, В. А. Байдикова^ab, К. И. Константинян^a, Н. В. Дубицкий^ac, А. М. Петржик^a, Г. Д. Ульев^ac, А. В. Шадрин^ad, В. А. Шмаков^a, Г. А. Овсянников^a

^a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
^b МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия
^c Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия
^d Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный

Аннотация: По температурным зависимостям сопротивлений установлены механизмы транспорта носителей тока в тонких пленках иридата стронция с сильным спин-орбитальным взаимодействием, изготовленные тремя технологическими методами: путем распыления на поcтоянном токе, с использованием импульсного источника напряжения и лазерной абляцией. Определены модели сверхпроводящего транспорта в переходах на основе купратного сверхпроводника YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$ и ниобия с барьерами из иридатов стронция.

Ключевые слова: иридат стронция, прыжковая проводимость, спин-орбитальное взаимодействие, электрон-электронное взаимодействие, эффект Джозефсона.

Поступила в редакцию: 06.03.2025
Исправленный вариант: 06.03.2025
Принята в печать: 05.05.2025

DOI: 10.61011/FTT.2025.07.61198.24HH-25